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硅激光研究出現重大進展

關鍵詞 , 激光 , 研究 , Intel公司|2005-07-11 00:00:00|來源 中國超硬材料網
摘要 2月16日Intel公司宣布,利用硅生產工藝取代目前制造激光所需的昂貴材料和工藝,生產出一種內含8個連續Raman激光芯片,芯片中的激光器可發射連續的激光流,激光流可被調制為代表數...

  2月16日Intel公司宣布,利用生產工藝取代目前制造激光所需的昂貴材料和工藝,生產出一種內含8個連續 Raman激光芯片,芯片中的激光器可發射連續的激光流,激光流可被調制為代表數據的脈沖流。廉價的光學器件不僅能帶來速度更快的計算機,還將導致更低廉、更精確的醫療設備。硅激光器可能至少5年時間里不會進入市場。但這種芯片將激發業界對硅激光技術的熱情和興趣。Raman激光利用1928年由諾貝爾獲獎者Chandrasekhara Venkata Raman發現的Raman效應產生激光。硅材料中的Raman效應比標準玻璃強1萬倍。但是,硅材料若發出激光,就必須解決釋放的電子云。為了解決這個問題,Intel的芯片在硅室周圍形成一個電場,電場驅散電子云, 使激光可以被捕獲、放大和發射。

 

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