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2016金剛線切割與黑硅技術(shù)論壇下月舉行

關(guān)鍵詞 金剛線 , 黑硅技術(shù) , 光伏 , 多晶硅 |2016-11-25 10:49:46展會(huì)資訊|來源 中國超硬材料網(wǎng)
摘要 硅片占據(jù)晶硅太陽電池成本結(jié)構(gòu)的最大比重,降低硅片成本對(duì)實(shí)現(xiàn)光伏平價(jià)上網(wǎng)至關(guān)重要。金剛線切割硅片是近年發(fā)展起來的新型技術(shù),相比傳統(tǒng)的砂漿切割工藝,具有單位產(chǎn)能硅耗少、切割效率高、輔材...
   硅片占據(jù)晶硅太陽電池成本結(jié)構(gòu)的最大比重,降低硅片成本對(duì)實(shí)現(xiàn)光伏平價(jià)上網(wǎng)至關(guān)重要。金剛線切割硅片是近年發(fā)展起來的新型技術(shù),相比傳統(tǒng)的砂漿切割工藝,具有單位產(chǎn)能硅耗少、切割效率高、輔材成本低和可切割薄硅片等優(yōu)勢。單晶硅太陽電池由于硅片端金剛線切片技術(shù)的普及,成本快速下降,市場份額有望從2015年的15%提升到2016年的25%以上。
  在此背景下,多晶硅行業(yè)盡快引入金剛線切割工藝顯得尤為緊迫。金剛線切割多晶硅片主要面臨斷線風(fēng)險(xiǎn)和制絨困難兩大問題。金剛線制備與應(yīng)用技術(shù)的優(yōu)化可以有效降低金剛線切多晶硅時(shí)鑄錠晶體硬點(diǎn)導(dǎo)致的斷線風(fēng)險(xiǎn)。黑硅技術(shù)可以優(yōu)化陷光效果,有效解決金剛線切割的多晶硅片反射率高,制絨困難的問題。
  黑硅技術(shù)分為干法黑硅與濕法黑硅兩種技術(shù)路線,是進(jìn)一步提高多晶太陽電池效率的有效途徑。金剛線切割多晶硅片和黑硅技術(shù)的普及將再次拉大多晶與單晶在硅片端的成本差距,增強(qiáng)多晶硅太陽電池路線的競爭力。而光伏市場對(duì)電池及組件成本降低和效率提升的持續(xù)要求,也將為金剛線切割和黑硅技術(shù)帶來良好的市場機(jī)遇。
  記者從業(yè)內(nèi)了解到,“2016金剛線切割與黑硅技術(shù)論壇”將于12月13日在江蘇無錫召開。會(huì)議將探討“十三五”光伏行業(yè)展望與太陽電池市場前景,金剛線切割技術(shù)進(jìn)展與工藝優(yōu)化,金剛線切割多晶硅片的挑戰(zhàn)與解決方案,干法黑硅與濕法黑硅工藝路線比較,黑硅技術(shù)成本分析與效率提升趨勢等。
 

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